存储芯片板块主要包括DRAM（动态随机存取存储器）、NAND闪存以及新兴的高带宽内存（HBM）等产品，是半导体产业的核心组成部分。该板块深受AI、数据中心、消费电子和汽车等下游需求驱动。进入2026年，受AI基础设施爆炸式增长影响，全球存储芯片市场正面临前所未有的供给短缺和价格飙升，但这也为主要厂商带来巨大机遇。以下基于最新市场数据和预测，对2026年进行分析。
市场规模与增长预测2026年，存储芯片市场预计将迎来“超级周期”，收入大幅攀升。根据德勤报告，内存收入将达到约2000亿美元，占全球半导体总收入的25%。 另一份预测显示，受AI繁荣推动，内存制造商从AI相关收入中可能累计获利5510亿美元，其中2026年收入增长率高达134%。
关键趋势与驱动因素
- DRAM市场：供给增长预计为16%（同比），但远低于历史平均水平。HBM需求将同比增长70%，占DRAM晶圆产出的23%（较上年增长4个百分点）。 Q1合同价格可能上涨55-60%。
- NAND市场：供给增长17%（同比），Q1合同价格上涨33-38%。 整体半导体内存市场规模预计达1273亿美元，2020-2026年复合年增长率（CAGR）为7.5%。
指标 | 2026年预测 | 来源备注 |
|---|---|---|
全球内存收入 | ~2000亿美元（占半导体25%） | 德勤展望 |
AI相关内存收入累计 | 5510亿美元 | Tom's Hardware分析 |
DRAM供给增长 | 16% YoY | IDC报告 |
NAND供给增长 | 17% YoY | IDC报告 |
HBM需求增长 | 70% YoY | TrendForce估算 |
整体市场CAGR (2020-2026) | 7.5% | KBV Research |
- AI需求爆炸：AI数据中心投资预计2026年达8000亿美元（较2024年增长4倍），推动HBM3/4和DDR7等高端内存短缺。 这导致消费级DDR4/5价格在2025年底上涨4倍，2026年前半年可能再涨50%。 短缺已波及苹果、特斯拉等巨头，Elon Musk甚至表示特斯拉需自建内存厂。
- 供给短缺持续：短缺危机预计延续至2027年。 主要厂商如三星、SK海力士和美光已将产能转向高利润HBM，导致传统内存供给紧张。Bernstein分析师称价格将“抛物线上升”。
- 下游影响：智能手机市场可能收缩2.9%-5.2%，PC市场收缩4.9%-8.9%。 DRAM成本占低端手机物料清单的比例可能从10%升至30%。 汽车、数据中心等领域也将面临生产延误和成本上涨。
- SK海力士：作为AI内存冠军，2026年收入预计翻倍，运营利润率达70%（较上年增长20个百分点）。 HBM已售罄至2026年底。
- 美光科技：HBM收入预计到2028年达1000亿美元，2026财年资本支出增至200亿美元（增长45%）。 摩根士丹利上调其2026-2027年盈利预测56%-63%。
- 三星电子：主导DRAM市场，受益于价格上涨，但需应对地缘风险。
- 其他：Kioxia等NAND厂商也报告强劲指导，供给紧张将持续。